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PMOS 用作电源开关,将负载与电源连接或断开。在正确连接电源期间,MOSFET 由于正确的 VGS(栅极到源极电压)而导通。但在反极性情况下,栅极到源极电压太低而无法导通 MOSFET 并将负载与输入电源断开。
www.kiaic.com/article/detail/3993.html 2022-12-23
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到当输入电源断开的瞬间,如果LDO的输入电压的下降速度远高于LDO的输出电压下降速度的时候,比如LDO输出端有容性大负载时,很可能会出现输出的电压高于输入电压,这样有可能造成损坏LDO。
www.kiaic.com/article/detail/3992.html 2022-12-23
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下面是一个基于N沟道MOSFET的反向保护电路,和PMOS不同的是,NMOS需要接在电源的负极端。其中漏极D必须接到电源的负极。源极S必须连接到设备的地,栅极则必须连接到电源的正极。
www.kiaic.com/article/detail/3991.html 2022-12-23
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MOSFET、MODFET、MESFET最大的区别在于栅极的控制;MOSFET是MOS金属-氧化物-半导体(电容)做栅极;
www.kiaic.com/article/detail/3990.html 2022-12-22
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MODFET的基本原理
www.kiaic.com/article/detail/286.html 2022-12-22
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FET,有源极(Source)就是电子从源流入FET;栅极(Gate),是个门,阀门,打开FET,电子就流动,关上阀门,电子就不流动。漏极(Drain),电子流出FET;电子是负电荷,所以,是从GND流到Vcc的。
www.kiaic.com/article/detail/3989.html 2022-12-22
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IO进行控制:高电平转动,低电平停止。IO口高电平时:三极管集电级和发射级导通,电机能量来源于VCC输入,足以满足电机工作。
www.kiaic.com/article/detail/3988.html 2022-12-22
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直流充电桩一般由通信模块、开关电源模块及控制模块等构成。其中,MOSFET是开关电源模块中最核心的部分,是实现电能高效率转换,确保充电桩稳定不过热的关键器件。
www.kiaic.com/article/detail/3987.html 2022-12-21
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上图是一个利用三极管D882搭建的电磁阀开关电路,P25是一个24V驱动的电磁阀 ,此电磁阀驱动功率为9W,由此可知当三极管做开关电路时,集电极所需电流Ic=9/24=0.375A,
www.kiaic.com/article/detail/3986.html 2022-12-21
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门控开关电路中可分为三个部分:一是有电容降压,再进行半波整流滤波的电源部分,输出的直流电压给CD4013和其他器件供电;
www.kiaic.com/article/detail/3985.html 2022-12-21
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专门的驱动IC为了实现快速开关MOS,一般内部会集成自举电路,从而可以提供高于电源电压的驱动电压来快速开关MOS,以DGD0506为例,虽然该IC的供电电源电压是15V,但是它却能提供高达50V的驱动电压输出。
www.kiaic.com/article/detail/3984.html 2022-12-20
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一般采用三极管作为继电器驱动电路,而NPN三极管是充当低侧开关,这意味着NPN导通时,三极管本身将成为继电器线圈的接地路径,下面是一个继电器驱动电路,我们可以把继电器线圈等效成线圈电感Lcoil和线圈电阻Rcoil的串联电路。
www.kiaic.com/article/detail/3982.html 2022-12-20
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单片机的IO口可以输出三种状态:高电平、低电平、高阻。一般不同封装和颜色的驱动电压和电流都有些许差异,具体要参照使用LED的规格书。
www.kiaic.com/article/detail/3981.html 2022-12-20
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单片机的IO口,有一定的带负载能力。但电流很小,驱动能力有限,一般在10-20mA以内。所以一般不采用单片机直接驱动负载这种方式。
www.kiaic.com/article/detail/3980.html 2022-12-19